На конференции, посвященной новинкам схемотехники International
Solid-State Circuits Conference (ISSCC), группа исследователей из
Массачусетского технологического института (Massachussets Institute of
Technology, MIT) заявила о разработке КМОП-сенсора на технологии
межкремниевых соединений (through-silicon vias, TSV).
Чип спроектирован
по принципу так называемой объемной «этажерочной» (3D stacking)
архитектуры. Основанный на 0,35-микронной технологии сенсор с
разрешением 1 Мп (1024х1024 пикселей) состоит из семи слоев. Два
верхних слоя представляют собственно фоточувствительную матрицу, при
этом поверхность первого слоя на 100% состоит из фотодиодов размером
порядка 50-мкм. Второй, соответственно обеспечивает коммутацию сенсора
с остальными слоями на которых разместились несколько АЦП, кодировщики
адресов и данных, параллельный интерфейс I2C и две 12-битовые шины LVDS
с пропускной способностью 512 Мбит/с. Высота этого многослойного чипа с
контактами не превышает 0,5 мм. Переход на архитектуру TSV – дальнейшее развитие «двумерной»
технологии КМОП, которая, по данным исследований, позволит сократить
энергопотребление на несколько порядков.