Южнокорейская компания Hynix Semiconductor анонсировала успешное завершение разработки 1 Гбит чипа DDR3, построенного с применением 44-нм технологии. Утверждается, что продукт с подобным сочетанием характеристик – первый в мире, а его производительность по сравнению с прежними, 54-нм чипами, возросла на 50%. Компания считает, что новые чипы соответствуют спецификациям Intel DDR3 DRAM, и для построенных на их базе модулей памяти планируется проведение соответствующей сертификации. Начало массового производства микросхем намечено на третий квартал текущего года.

Новые модули Hynix 1Гбит DDR3 DRAM обеспечивают максимальную скорость трансфера в 2133 Мбит/с, с возможностью работы в широком диапазоне питающих напряжений. Отмечается, что благодаря применению технологии «трехмерных транзисторов» удалось добиться снижению токов утечки и уменьшению общего уровня энергопотребления. Компания надеется, что сочетание высокой производительности и небольшого потребления обеспечит новой продукции возможность применения во множестве приложений, включая буферные схемы устройств хранения, модули памяти для мобильных устройств и память для видеокарт.